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：半导体硅片清洗工艺

         我司开发的成熟工艺设备
：半导体清洗机
、硅片腐蚀清洗机、半导体硅（芯）片清洗机

、全自动硅片清洗机、晶片清洗机、超声波清洗机
、分立器件清洗机

、硅片光刻清洗机、RCA腐蚀机、砷化镓清洗机等。设备均采用磁白PP板经雕刻后热弯/焊接而成。该设备适用于2—12英寸硅晶圆片的清洗腐蚀,工艺过程全自动，由机械臂负责工件在槽体间的转换
。人机界面为触摸屏
，方便直观。

湿化学法清洗的原理

         湿化学法清洗主要是利用溶液
、酸碱、表面活性剂
、水及其混合物


，通过腐蚀、溶解
、化学反应等方法


，实现某种功能要求或去除晶片表面的沾污物。

湿化学清洗工艺技术

RCA清洗

         RCA清洗工艺称为工业标准湿法清洗工艺，由美国无线电（RCA）公司于20世纪60年代提出


。主要有一系列有序侵入不同的化学液组成
，即1号标准液（SC1）和2号标准液（SC2）






。1号标准液化学配料为
：NH4OH


：H2O2

：H2O(1:1:5)

，2号标准液化学配料为

：HCL



：H2O2：H2O(1:1:6)
，通常使用加热到75～85℃




。
         由于RCA清洗使用了大量的化学液，因此实际应用已经对RCA清洗做了改进

，即稀释化学液
，SC1化学液比例为1:4:50而代替传统的1:1:5




。稀释化学液在使用中对人体健康及安全有很大的改良，而且因减少了化学液的使用
，降低了工厂成本及对环境的污染，下表为典型湿法清洗工艺流程
。